Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode

Artykuł "Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode" w niemieckiej Wikipedii posiada 15 punktów za jakość (stan na 1 sierpnia 2024 roku). Artykuł zawiera, oprócz innych wskaźników, 0 referencji oraz 5 sekcji. Ten artykuł ma najlepszą jakość w angielskiej Wikipedii. Również artykuł jest najbardziej popularny w tej wersji językowej.

Od czasu utworzenia artykułu "Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode" jego treść była napisana przez 94 zarejestrowanych użytkowników niemieckiej Wikipedii oraz edytowana przez 945 zarejestrowanych użytkowników Wikipedii we wszystkich wersjach jézykowych.

Ten artykuł jest cytowany 185 razy w niemieckiej Wikipedii oraz cytowany 4210 razy we wszystkich wersjach językowych.

Najwyższe zainteresowanie autorów od 2001 roku:

• Lokalny (Niemiecki): Nr 4312 w marcu 2004 roku
• Globalny: Nr 6807 w lutym 2023 roku

Najwyższa popularność w rankingu od 2008 roku:

• Lokalny (Niemiecki): Nr 15459 w czerwcu 2010 roku
• Globalny: Nr 22912 w paździeriku 2013 roku

Dla danego artykułu znaleziono 30 wersji językowych w bazie danych WikiRank (z 55 rozpatrywanych wersji językowych Wikipedii).

Dane z dnia 1 sierpnia 2024 roku.

Poniższa tabela przedstawia wersje językowe artykułu o najlepszej jakośći.

#	Język	Odznaka jakośći	Ocena jakośći
1	Angielski (en) Insulated-gate bipolar transistor		71.7397
2	Estoński (et) Isoleeritud paisuga bipolaartransistor		43.2154
3	Francuski (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		40.5735
4	Rumuński (ro) Tranzistor IGBT		31.0792
5	Chiński (zh) 絕緣柵雙極晶體管		29.0974
6	Wietnamski (vi) IGBT		26.5817
7	Hiszpański (es) Transistor IGBT		23.986
8	Szwedzki (sv) IGBT		23.3881
9	Arabski (ar) ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة		22.5945
10	Kataloński (ca) Transistor bipolar de porta aïllada		21.8365

Więcej...

Następna tabela zawiera najbardziej popularne wersje językowe tego artykułu.

Najpopularniejsze wersje językowe artykułu "Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode" za cały czas

#	Język	Odznaka popularności	Ocena popularności
1	Angielski (en) Insulated-gate bipolar transistor		3 930 054
2	Japoński (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		1 086 393
3	Niemiecki (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		1 082 804
4	Hiszpański (es) Transistor IGBT		880 096
5	Rosyjski (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		645 569
6	Francuski (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		466 217
7	Chiński (zh) 絕緣柵雙極晶體管		461 309
8	Polski (pl) IGBT		296 470
9	Włoski (it) Transistor bipolare a gate isolato		223 268
10	Portugalski (pt) IGBT		210 745

Więcej...

Poniższa tabela pokazuje artykuły cieszące się największą popularnością za ostatni miesiąc.

Najpopularniejsze wersje językowe artykułu "Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode" w lipcu 2024

#	Język	Odznaka popularności	Ocena popularności
1	Angielski (en) Insulated-gate bipolar transistor		11 760
2	Niemiecki (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		2 463
3	Japoński (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		2 041
4	Chiński (zh) 絕緣柵雙極晶體管		1 993
5	Hiszpański (es) Transistor IGBT		1 964
6	Rosyjski (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		1 917
7	Francuski (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		1 240
8	Włoski (it) Transistor bipolare a gate isolato		713
9	Polski (pl) IGBT		693
10	Portugalski (pt) IGBT		412

Więcej...

Poniższa tabela pokazuje artykuły cieszące się największym zainteresowaniem autorów.

Wersje językowe artykułu "Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode" o największym zainteresowaniu autorów (liczba autorów). Tylko zarejestrowani użytkownicy Wikipedii zostały brane pod uwagę.

#	Język	Odznaka	Względne ZA
1	Angielski (en) Insulated-gate bipolar transistor		188
2	Niemiecki (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		94
3	Francuski (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		84
4	Rosyjski (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		59
5	Japoński (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		53
6	Włoski (it) Transistor bipolare a gate isolato		52
7	Niderlandzki (nl) Insulated-gate bipolar transistor		41
8	Chiński (zh) 絕緣柵雙極晶體管		35
9	Wietnamski (vi) IGBT		31
10	Polski (pl) IGBT		30

Więcej...

Poniższa tabela pokazuje artykuły cieszące się największym zainteresowaniem autorów za ostatni miesiąc.

Wersje językowe artykułu "Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode" o największym zainteresowaniu autorów (liczba autorów)

#	Język	Odznaka	Względne ZA
1	Arabski (ar) ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة		0
2	Bułgarski (bg) IGBT транзистор		0
3	Kataloński (ca) Transistor bipolar de porta aïllada		0
4	Czeski (cs) IGBT		0
5	Duński (da) Insulated-gate bipolar transistor		0
6	Niemiecki (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		0
7	Angielski (en) Insulated-gate bipolar transistor		0
8	Hiszpański (es) Transistor IGBT		0
9	Estoński (et) Isoleeritud paisuga bipolaartransistor		0
10	Perski (fa) آی‌جی‌بی‌تی		0

Więcej...

Poniższa tabela pokazuje wersje językowe artykułu z największą liczbą cytowań.

Wersje językowe artykułu "Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode" o największym indeksie cytowań

#	Język	Nagroda za IC	Względny IC
1	Japoński (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		892
2	Angielski (en) Insulated-gate bipolar transistor		808
3	Chiński (zh) 絕緣柵雙極晶體管		660
4	Koreański (ko) 절연 게이트 양극성 트랜지스터		273
5	Niemiecki (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		185
6	Włoski (it) Transistor bipolare a gate isolato		143
7	Arabski (ar) ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة		128
8	Ukraiński (uk) IGBT		126
9	Rosyjski (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		120
10	Francuski (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		113

Więcej...

#	Język	Wartość
ar	Arabski ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة
bg	Bułgarski IGBT транзистор
ca	Kataloński Transistor bipolar de porta aïllada
cs	Czeski IGBT
da	Duński Insulated-gate bipolar transistor
de	Niemiecki Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
en	Angielski Insulated-gate bipolar transistor
es	Hiszpański Transistor IGBT
et	Estoński Isoleeritud paisuga bipolaartransistor
fa	Perski آی‌جی‌بی‌تی
fi	Fiński IGBT
fr	Francuski Transistor bipolaire à grille isolée
he	Hebrajski טרנזיסטור IGBT
hi	Hindi इंसुलेटेड गेट बाईपोलर ट्रांजिस्टर
id	Indonezyjski Transistor dwikutub gerbang-terisolasi
it	Włoski Transistor bipolare a gate isolato
ja	Japoński 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
ko	Koreański 절연 게이트 양극성 트랜지스터
nl	Niderlandzki Insulated-gate bipolar transistor
pl	Polski IGBT
pt	Portugalski IGBT
ro	Rumuński Tranzistor IGBT
ru	Rosyjski Биполярный транзистор с изолированным затвором
sk	Słowacki Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom
sv	Szwedzki IGBT
tr	Turecki IGBT
uk	Ukraiński IGBT
ur	Urdu آئی جی بی ٹی
vi	Wietnamski IGBT
zh	Chiński 絕緣柵雙極晶體管

Najlepsza pozycja

Niemiecki: Nr 15459 06.2010

Globalny: Nr 22912 10.2013

Najlepsza pozycja

Niemiecki: Nr 4312 03.2004

Globalny: Nr 6807 02.2023

W dniu 20 grudnia 2024 roku w wielojęzycznej Wikipedii internauci najczęściej czytali artykuły na następujące tematy: Magdeburg, Mufasa: Król Lew, Elon Musk, Mazan rape case, Gisèle Pelicot, Superman, Ayrton Senna, Isack Hadjar, zmarli w roku 2024, David Corenswet.

W niemieckiej Wikipedii najbardziej popularnymi artykułami w tym dniu były: Der kleine Lord (1980), Hans Zimmer, Anschlag auf den Berliner Weihnachtsmarkt an der Gedächtniskirche, Ricky Schroder, Magdeburg, Vergewaltigungen von Mazan, Uli Stein (Fußballspieler), Johann Sebastian Bach, Liste der größten Auslegerbrücken, Naomi Seibt.

Projekt WikiRank jest przeznaczony do automatycznej względnej oceny artykułów w różnych wersjach językowych Wikipedii. Obecnie WikiRank pozwala porównywać ponad 44 mln artykułów Wikipedii w 55 językach. Wskaźniki jakośći artykułu są oparte na kopii zapasowej Wikipedia (stan na sierpień 2024). Przy obliczaniu popularności uwzględniono statystyki artykułów za ostatni miesiąc (w lipcu 2024 roku). Przy obliczaniu aktualnej popularności oraz Zainteresowania Autorów (ZA) artykułów uwzględniono dane za lipcu 2024 roku. Dla wartości historycznych popularności oraz ZA zostały wykorzystane dane z lat 2001-2023... Więcej informacji