浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管

zh

Sprawdź aktualną
ocenę jakości
WikiRank.net
wer. 1.6.2

浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管

Jakość:

Artykuł „浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管“ w chińskiej Wikipedii posiada 32.5 punktów za jakość (stan na 1 lipca 2025 roku). Artykuł zawiera, oprócz innych wskaźników, 7 referencji oraz 10 sekcji. Ten artykuł ma najlepszą jakość w angielskiej Wikipedii. Również artykuł jest najbardziej popularny w tej wersji językowej (chińskiej).

Od czasu utworzenia artykułu "浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管" jego treść była napisana przez 5 zarejestrowanych użytkowników chińskiej Wikipedii oraz edytowana przez 155 zarejestrowanych użytkowników Wikipedii we wszystkich wersjach jézykowych.

Ten artykuł jest cytowany 11 razy w chińskiej Wikipedii oraz cytowany 617 razy we wszystkich wersjach językowych.

Najwyższe zainteresowanie autorów od 2001 roku:

  • Lokalny (Chiński): Nr 81910 w lutym 2019 roku
  • Globalny: Nr 80594 w marcu 2009 roku

Najwyższa popularność w rankingu od 2008 roku:

  • Lokalny (Chiński): Nr 107546 w listopadzie 2023 roku
  • Globalny: Nr 208340 w marcu 2015 roku

Dla danego artykułu znaleziono 12 wersji językowych w bazie danych WikiRank (z 55 rozpatrywanych wersji językowych Wikipedii).

Dane z dnia 1 lipca 2025 roku.

Poniższa tabela przedstawia wersje językowe artykułu o najlepszej jakośći.

Języki o najlepszej jakośći

#JęzykOdznaka jakośćiOcena jakośći
1Angielski (en)
Floating-gate MOSFET
33.3287
2Chiński (zh)
浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管
32.4507
3Kataloński (ca)
MOSFET de porta flotant
29.7092
4Niemiecki (de)
Floating-Gate-Transistor
19.9402
5Włoski (it)
Floating Gate MOSFET
17.3288
6Rosyjski (ru)
Транзистор с плавающим затвором
15.7983
7Japoński (ja)
浮遊ゲートMOSFET
15.3526
8Perski (fa)
ماسفت گیت-شناور
14.7867
9Wietnamski (vi)
FGMOS
14.4217
10Ukraiński (uk)
Транзистор із плавним затвором
13.5153
Więcej...

Następna tabela zawiera najbardziej popularne wersje językowe tego artykułu.

Najpopularniejsze za cały czas

Najpopularniejsze wersje językowe artykułu "浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管" za cały czas
#JęzykOdznaka popularnościOcena popularności
1Angielski (en)
Floating-gate MOSFET
817 460
2Niemiecki (de)
Floating-Gate-Transistor
128 953
3Rosyjski (ru)
Транзистор с плавающим затвором
103 783
4Włoski (it)
Floating Gate MOSFET
41 849
5Chiński (zh)
浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管
28 703
6Japoński (ja)
浮遊ゲートMOSFET
18 488
7Ukraiński (uk)
Транзистор із плавним затвором
6 335
8Perski (fa)
ماسفت گیت-شناور
1 633
9Wietnamski (vi)
FGMOS
1 416
10Koreański (ko)
플로팅 게이트 MOSFET
653
Więcej...

Poniższa tabela pokazuje artykuły cieszące się największą popularnością za ostatni miesiąc.

Najpopularniejsze w czerwcu 2025

Najpopularniejsze wersje językowe artykułu "浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管" w czerwcu 2025
#JęzykOdznaka popularnościOcena popularności
1Angielski (en)
Floating-gate MOSFET
3 656
2Niemiecki (de)
Floating-Gate-Transistor
297
3Chiński (zh)
浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管
271
4Rosyjski (ru)
Транзистор с плавающим затвором
267
5Japoński (ja)
浮遊ゲートMOSFET
220
6Włoski (it)
Floating Gate MOSFET
176
7Koreański (ko)
플로팅 게이트 MOSFET
62
8Ukraiński (uk)
Транзистор із плавним затвором
32
9Kataloński (ca)
MOSFET de porta flotant
15
10Perski (fa)
ماسفت گیت-شناور
13
Więcej...

Poniższa tabela pokazuje artykuły cieszące się największym zainteresowaniem autorów.

Największe ZA

Wersje językowe artykułu "浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管" o największym zainteresowaniu autorów (liczba autorów). Tylko zarejestrowani użytkownicy Wikipedii zostały brane pod uwagę.
#JęzykOdznakaWzględne ZA
1Angielski (en)
Floating-gate MOSFET
63
2Rosyjski (ru)
Транзистор с плавающим затвором
24
3Niemiecki (de)
Floating-Gate-Transistor
23
4Włoski (it)
Floating Gate MOSFET
16
5Ukraiński (uk)
Транзистор із плавним затвором
7
6Japoński (ja)
浮遊ゲートMOSFET
5
7Chiński (zh)
浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管
5
8Wietnamski (vi)
FGMOS
4
9Perski (fa)
ماسفت گیت-شناور
3
10Kataloński (ca)
MOSFET de porta flotant
2
Więcej...

Poniższa tabela pokazuje artykuły cieszące się największym zainteresowaniem autorów za ostatni miesiąc.

Największe ZA w czerwcu 2025

Wersje językowe artykułu "浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管" o największym zainteresowaniu autorów (liczba autorów)
#JęzykOdznakaWzględne ZA
1Angielski (en)
Floating-gate MOSFET
1
2Kataloński (ca)
MOSFET de porta flotant
0
3Niemiecki (de)
Floating-Gate-Transistor
0
4Perski (fa)
ماسفت گیت-شناور
0
5Indonezyjski (id)
Memori gerbang mengambang
0
6Włoski (it)
Floating Gate MOSFET
0
7Japoński (ja)
浮遊ゲートMOSFET
0
8Koreański (ko)
플로팅 게이트 MOSFET
0
9Rosyjski (ru)
Транзистор с плавающим затвором
0
10Ukraiński (uk)
Транзистор із плавним затвором
0
Więcej...

Poniższa tabela pokazuje wersje językowe artykułu z największą liczbą cytowań.

Największy IC

Wersje językowe artykułu "浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管" o największym indeksie cytowań
#JęzykNagroda za ICWzględny IC
1Angielski (en)
Floating-gate MOSFET
322
2Japoński (ja)
浮遊ゲートMOSFET
107
3Wietnamski (vi)
FGMOS
87
4Niemiecki (de)
Floating-Gate-Transistor
24
5Rosyjski (ru)
Транзистор с плавающим затвором
15
6Włoski (it)
Floating Gate MOSFET
14
7Ukraiński (uk)
Транзистор із плавним затвором
11
8Chiński (zh)
浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管
11
9Koreański (ko)
플로팅 게이트 MOSFET
10
10Kataloński (ca)
MOSFET de porta flotant
8
Więcej...

Oceny

Szacowana wartość dla Wikipedii:
Chiński:
Globalnie:
Popularność w czerwcu 2025:
Chiński:
Globalnie:
Popularność za cały czas:
Chiński:
Globalnie:
Autorzy w czerwcu 2025:
Chiński:
Globalnie:
Zarejestrowani autorzy przez wszystkie lata:
Chiński:
Globalnie:
Cytowania:
Chiński:
Globalnie:

Miary jakośći

Interwiki

#JęzykWartość
caKataloński
MOSFET de porta flotant
deNiemiecki
Floating-Gate-Transistor
enAngielski
Floating-gate MOSFET
faPerski
ماسفت گیت-شناور
idIndonezyjski
Memori gerbang mengambang
itWłoski
Floating Gate MOSFET
jaJapoński
浮遊ゲートMOSFET
koKoreański
플로팅 게이트 MOSFET
ruRosyjski
Транзистор с плавающим затвором
ukUkraiński
Транзистор із плавним затвором
viWietnamski
FGMOS
zhChiński
浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管

Trendy rankingu popularności

Najlepsza pozycja Chiński:
Nr 107546
11.2023 		Globalny:
Nr 208340
03.2015

Trendy rankingu ZA

Najlepsza pozycja Chiński:
Nr 81910
02.2019 		Globalny:
Nr 80594
03.2009

Porównanie języków

Ważne połączenia globalne (Lipiec 2024 – Czerwiec 2025)

Wyniki zagregowane jakości i popularności artykułu Wikipedii

Lista artykułów Wikipedii w różnych językach (zaczynając od najpopularniejszego):

en: Floating-gate MOSFET
de: Floating-Gate-Transistor
ru: Транзистор с плавающим затвором
it: Floating Gate MOSFET
zh: 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管
ja: 浮遊ゲートMOSFET
uk: Транзистор із плавним затвором
fa: ماسفت گیت-شناور
vi: FGMOS
ko: 플로팅 게이트 MOSFET
id: Memori gerbang mengambang
ca: MOSFET de porta flotant

Wiadomości z 12 sierpnia 2025

W dniu 12 sierpnia 2025 roku w wielojęzycznej Wikipedii internauci najczęściej czytali artykuły na następujące tematy: Cristiano Ronaldo, Wednesday, Georgina Rodríguez, ChatGPT, Weapons, Jenna Ortega, zmarli w roku 2025, Taylor Swift, Miguel Uribe Turbay, Liga Mistrzów UEFA (2025/2026).

W chińskiej Wikipedii najbardziej popularnymi artykułami w tym dniu były: 朱由𣜬, 林岱樺, 林逸欣, 江油未成年人欺凌事件, 鬼滅之刃, 黃士修, 鬼滅之刃角色列表, 锦月如歌, 2025年亞洲盃籃球賽, 鬼滅之刃劇場版 無限城篇.

O projekcie WikiRank

Projekt WikiRank jest przeznaczony do automatycznej względnej oceny artykułów w różnych wersjach językowych Wikipedii. Obecnie WikiRank pozwala porównywać ponad 44 mln artykułów Wikipedii w 55 językach. Wskaźniki jakośći artykułu są oparte na kopii zapasowej Wikipedia (stan na lipiec 2025). Przy obliczaniu popularności uwzględniono statystyki artykułów za ostatni miesiąc (w czerwcu 2025 roku). Przy obliczaniu aktualnej popularności oraz Zainteresowania Autorów (ZA) artykułów uwzględniono dane za czerwcu 2025 roku. Dla wartości historycznych popularności oraz ZA zostały wykorzystane dane z lat 2001-2025... Więcej informacji