Jakość:

GaAsFet - jest to tranzystor polowy wykonany na podłożu składającym się z galu i arsenu. Artykuł „GaAsFet“ w polskiej Wikipedii posiada 11.7 punktów za jakość (stan na 1 lipca 2025 roku). Artykuł zawiera, oprócz innych wskaźników, 1 referencji oraz 2 sekcji.
Od czasu utworzenia artykułu "GaAsFet" jego treść była napisana przez 1 zarejestrowanych użytkowników polskiej Wikipedii oraz edytowana przez 1 zarejestrowanych użytkowników Wikipedii we wszystkich wersjach jézykowych.
Najwyższe zainteresowanie autorów od 2001 roku:
- Lokalny (Polski): Nr 14988 w maju 2011 roku
- Globalny: Nr 507768 w maju 2011 roku
Najwyższa popularność w rankingu od 2008 roku:
- Lokalny (Polski): Nr 444775 w lutym 2015 roku
- Globalny: Nr 5616635 we wrześniu 2011 roku
Dla danego artykułu znaleziona 1 wersja językowa w bazie danych WikiRank (z 55 rozpatrywanych wersji językowych Wikipedii).
Dane z dnia 1 lipca 2025 roku.